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半導體乾蝕刻技術

內容簡介

內容簡介 日本生產工程權威獎項得主力作，圖解與表格詳實，帶領工程師掌握半導體乾蝕刻技術的全貌，提升現場即戰力。

作者介紹

作者介紹 ■作者簡介野尻一男（Nojiri Kazuo）1973年 群馬大學工學部電子工學科畢業。1975年 群馬大學大學院工學研究科碩士課程修畢。1975年 進入日立製作所。在半導體事業部從事CVD、元件整合、乾蝕刻的研究開發。尤其是關於ECR電漿蝕刻、充電損傷，進行先驅的研究。而且擔任技術開發的領導，歷任許多經理職務。2000年 進入Lam Research公司擔任董事‧CTO至今。主要受獎1989年 以「有磁場微波電漿蝕刻技術的開發與實用化」受獎大河內紀念賞。1994年 以「低溫乾蝕刻設備的開發」受獎機械振興協會賞通產大臣賞。主要著作《先端電気化学》（丸善）共著《半導体プロセスにおけるチャージング･ダメージ》(リアライズ社）共著■譯者簡介倪志榮（Ni, Chih-Jung)1988年 國立清華大學畢業1991年 中日交流協會留日獎學生1993年 日本東京大學工學院碩士2014年 中部科學園區模範勞工曾任地球村美日語中心日語講師現職華邦電子公司模組技術發展部經理，從事DRAM與Flash的製程研發。

產品目錄

產品目錄 序言譯者序第１章 半導體積體電路的發展與乾蝕刻技術1.1 乾蝕刻的概要1.2 關於乾蝕刻的評鑑參數1.3 在大型積體電路上乾蝕刻技術所扮演的角色參考文獻第２章 乾蝕刻的機制2.1 電漿的基礎1 電漿是什麼2 電漿的各物理量3 電漿中的碰撞反應過程2.2 離子鞘以及離子鞘內的離子行為1 離子鞘與Vdc2 離子鞘內的離子散射2.3 蝕刻製程的建構方法1 乾蝕刻的反應過程2 非等向性蝕刻的機制3 側壁保護過程4 蝕刻率5 選擇比6 總結參考文獻第３章 各種材料的蝕刻3.1 閘極蝕刻1 Poly-Si閘極蝕刻2 晶圓面內CD均勻度的控制3 WSi2／Poly-Si閘極蝕刻4 W／WN／Poly-Si閘極蝕刻5 Si基板的蝕刻3.2 SiO2蝕刻1 SiO2蝕刻的機制2 SiO2蝕刻的關鍵參數3 孔洞系列的蝕刻4 SAC蝕刻5 Spacer蝕刻3.3 連線蝕刻1 Al連線蝕刻2 Al連線的防腐蝕處理技術3 其它連線材料的蝕刻3.4 總結參考文獻第４章 乾蝕刻設備4.1 乾蝕刻設備的歷史4.2 圓筒型電漿蝕刻機4.3 CCP電漿蝕刻機4.4 磁電管RIE4.5 ECR電漿蝕刻機4.6 ICP電漿蝕刻機4.7 乾蝕刻設備的實例4.8 靜電吸盤1 靜電吸盤的種類以及吸附原理2 晶圓溫度控制的原理參考文獻第５章 乾蝕刻損傷5.1 導入Si表層的損傷5.2 充電損傷1 充電損傷的評鑑方法2 充電的發生機制3 各種蝕刻設備的充電評鑑與減低方法4 起因於圖形的閘極氧化層破壞參考文獻第６章 新蝕刻技術6.1 Cu 鑲嵌蝕刻6.2 Low-k蝕刻6.3 使用多孔型Low-k的鑲嵌連線6.4 金屬閘極／High-k蝕刻6.5 FinFET蝕刻6.6 雙重圖形定義6.7 用於3D IC的蝕刻技術參考文獻第７章 乾蝕刻技術今後的課題與展望7.1 關於乾蝕刻的技術革新7.2 今後的課題與展望7.3 作為工程師的心理準備參考文獻

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