半導體製程概論 (第4版) | 誠品線上

半導體製程概論 (第4版)

內容簡介

內容簡介 全書分為五篇，第一篇(1～3章)探討半導體材料之基本特性，從矽半導體晶體結構開始，到半導體物理之物理概念與能帶做完整的解說。第二篇(4～9章)說明積體電路使用的基礎元件與先進奈米元件。第三篇(10～24章)說明積體電路的製程。第四篇(25～26章)說明積體電路的故障與檢測。第五篇(27～28章)說明積體電路製程潔淨控制與安全。全書通用於大專院校電子、電機科系「半導體製程」或「半導體製程技術」課程作為教材。

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產品目錄 前言 半導體與積體電路之發展史0-1 半導體之緣起 (Semiconductor History) 0-2 電晶體 (Transistor) 0-3 積體電路 (Integrated Circuit) 0-4 半導體製程 (Semiconductor Processes)第一篇 半導體材料與物理第1章 晶體結構與矽半導體物理特性1-1 原子模型與週期表 (Atomic Model and Periodic) 1-2 晶體結構 (Crystal Structure)1-3 物質導電性 (Material Conductivity) 1-4 本質矽，質量作用定律 (Intrinsic Silicon, Mass-action Law)1-5 摻雜質，負型和正型 (Dopant, n-type and p-type)習題第2章 半導體能帶與載子傳輸2-1 能帶 (Energy Band)2-2 電阻係數與薄片電阻 (Resistivity and Sheet Resistance) 2-3 載子傳輸 (Carrier Transport)習題第3章 化合物半導體晶體結構與物理特性3-1 化合物半導體 (Compound Semiconductors)3-2 砷化鎵晶體結構及能帶 (Crystal Structure and Energy Band of Gallium Arsenide)3-3 氮化鎵晶體結構及能帶 (Crystal Structure and Energy Band of Gallium Nitride)3-4 碳化矽晶體結構與能帶 (Crystal Structure and Energy Band of Silicon Carbide)3-5 摻雜質，負型和正型 (Dopant, n-type and p-type)3-6 砷化鎵、氮化鎵、碳化矽與矽比較 (Comparison of GaAs、GaN、SiC and Si)習題第二篇 半導體元件第4章 半導體基礎元件4-1 二極體 (Diode)4-2 雙載子電晶體 (Bipolar Transistor)4-3 金氧半場效電晶體 (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)4-4 互補金氧半場效電晶體 (CMOS，Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)4-5 半導體記憶體 (Semiconductor Memory)4-5-1 半導體揮發性記憶體 (Semiconductor Volatile Memory)4-5-2 半導體非揮發性記憶體 (Semiconductor Nonvolatile Memory)4-6 電阻 (Resistor)4-7 電容 (Capacitor)4-8 電感 (Inductor)習題第5章 接面能帶圖與費米能階5-1 半導體狀態密度 (Density of States) 5-2 純半導體費米分布函數 (Fermi Distribution Function of Intrinsic Semiconductor)5-3 摻雜半導體費米分布函數 (Fermi Distribution Function of Doped Semiconductors)5-4 接面能帶圖與費米能階 (Junction Band Diagram and Fermi Level)習題第6章 積體電路製程與佈局6-1 雙載子製程技術 (Bipolar Fabrication Technology)6-2 金氧半場效電晶體製程技術 (MOSFET Fabrication Technology)6-3 電路與積體電路 (Circuit and Integrated Circuit)6-4 設計原則 (Design Rules)6-5 佈局 (Layout)第7章 半導體元件縮小化與先進奈米元件7-1 金氧半場效電晶體之縮小化 (Scaling of MOSFET)7-2 短通道效應 (short-channel effects)7-2-1 速度飽和效應 (velocity saturation)7-2-2 通道長度調變效應 (channel-length modulation)7-2-3 次臨界電流效應 (subthreshold current)7-2-4 擊穿效應 (punch through)7-2-5 CMOS栓啟效應 (latch-up)7-3 SOI場效電晶體 (SOI-MOSFET)7-4 奈米鰭式場效電晶體 (FinFET)7-5 三維積體電路 (3 Dimensional IC)習題第8章 高速與高功率電晶體8-1 砷化鎵金半場效電晶體 (GaAs Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) 8-2 砷化鎵高電子遷移率電晶體 (GaAs High Electron Mobility Transistor)8-3 氮化鎵高電子遷移率電晶體 (GaN High Electron Mobility Transistor) 8-4 碳化矽金氧半場效電晶體 (SiC Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 習題第9章 半導體光電元件9-1 發光二極體 (light emitting diode) 9-2 雷射二極體 (Laser Diode)9-3 光感測器 (Photodetector) 9-3-1 p-n光電二極體 (p-n Photodiode)9-3-2 p-i-n光電二極體 (p-i-n Photodiode)9-3-3 光電電晶體 (Phototransistor)9-4 太陽電池(Solar Cell)9-4-1 PERL太陽電池 (PERL Solar Cell)9-4-2 串級太陽電池 (Tandem Solar Cell)9-4-3 非晶太陽電池 (Amorphous Solar Cell)9-4-4 聚光 (Optical Concentration)習題第三篇 積體電路製程與設備第10章 矽晶棒之生長10-1 原料配製 (Starting Materials)10-2 矽晶棒生長 (Silicon Ingot Growth)10-3 晶體生長時摻雜質之分佈 (Dopants Distribution in Crystal Growth)10-4 晶體缺陷（Crystal Defects）習題第11章 矽晶圓之製作11-1 晶體方向（Crystal Orientation）11-2 晶片方向、切割和拋光 (Orientation、Sawing and Polishing)11-3 十二吋晶圓效益分析（Benefit Analysis of 12 Inch wafer）習題第12章 化合物半導體晶棒生長12-1 砷化鎵晶棒生長 (Gallium Arsenide Ingot Growth) 12-2 生長 (Gallium Nitride Ingot Growth)12-3 碳化矽晶棒生長 (Silicon Carbide Ingot Growth)12-3-1 高溫物理氣相沉積法 (HTPVD)12-3-2 高溫化學氣相沉積法 (HTCVD)習題第13章 矽磊晶生長13-1 磊晶膜（Epitaxial Layer）13-2 矽磊晶生長（Silicon Epiatxy）13-3 矽磊晶膜生長程序（Growth Process of Si Epitaxial Layer）習題第14章 矽磊晶系統14-1 矽磊晶系統（Epitaxy Systems）14-2 矽磊晶生長系統之評估（Evaluation of Epitaxial Systems）習題第15章 化合物半導體磊晶成長15-1 砷化鎵磊晶成長（GaAs Epitaxy） 15-1-1 砷化鎵氫化物氣相磊晶 (Hydride Vapor Phase Epitaxy-HVPE)15-1-2 砷化鎵有機金屬化學氣相磊晶15-2 氮化鎵磊晶生長（GaN Epitaxy）15-2-1 氮化鎵氫化物氣相磊晶 (Hydride Vapor Phase Epitaxy-HVPE)15-2-2 氮化鎵有機金屬化學氣相磊晶15-3 碳化矽磊晶生長（SiC Epitaxy）習題第16章 矽氧化膜生長16-1 熱氧化爐（Thermal Oxidation Furnace）16-2 矽氧化程序（Oxidation Process）16-3 乾濕氧化與膜厚（Dry and Wet Oxidation and Thickness）16-4 矽氧化膜厚度評估（Oxide Evaluation）16-5 熱氧化時摻雜原子之重行分佈 (Redistribution of Dopant Atoms During Thermal Oxidation）習題第17章 矽氧化膜生長機制17-1 二氧化矽與氧化（Silicon Dioxide and Oxidation）17-2 氧化機制（Oxidation Mechanism）17-3 超薄氧化層（Ultra-Thin Oxide）17-4 氧化膜品質評估（Oxide Quality Evaluation）17-5 氧化膜品質改進方法（Improvement of Oxide Quality）習題第18章 摻雜質之擴散植入18-1 擴散概念 (Concept of Diffusion)18-2 擴散過程 (Diffusion Process)18-3 擴散之分佈曲線 (Distribution of Diffusion)習題第19章 摻雜質之離子佈植19-1 離子佈植 (Ion Implantation)19-2 退火 (Annealing)19-3 離子佈植在CMOS積體電路製程上的應用(Ion Implantation in CMOS IC Fabrication)19-3-1 調整電晶體臨界電壓 (Adjustment of Transistor Threshold Voltage)19-3-2 形成N及P型井區 (Formation of N and P Wells)19-3-3 電晶體的隔離 (Isolation)19-3-4 形成電晶體的源極與汲極 (Formation of Source and Drain)19-3-5 形成低摻雜濃度的汲極 (Lightly-Doped Drain Formation)19-3-6 摻雜複晶矽 (Poly-silicon Doping)19-3-7 SOI晶圓生長備製 (Preparation of SOI Wafer)19-4 離子佈植製程實務 (Practices of Ion Implantation)19-4-1 晶圓冷卻 (Wafer Cooling)19-4-2 光阻問題 (Resist Problems)19-4-3 電荷中和 (Charge Neutralization)19-4-4 微塵與污染 (Dust and Contamination)習題第20章 微影技術20-1 微影蝕刻術 (Lithography)20-2 光罩之製作 (Fabrication of Mask)20-3 光微影術 (photolithography)20-4 光解析增強微影術 (Resolution Enhancement Techniques)20-5 微影術之光源 (Photolithographic sources)20-5-1 電子束微影曝光系統 (Electron Beam Lithography)20-5-2 極深紫外光微影曝光系統 (Extreme Ultraviolet Lithography)習題第21章 蝕刻技術21-1 濕蝕刻 (Wet Etching)21-1-1 矽濕蝕刻 (Si Wet Etching)21-1-2 化合物半導體濕蝕刻 (Compound Semiconductor Wet Etching)21-2 乾蝕刻 (Dry Etching)21-2-1 電容耦合式電漿蝕刻機 (Capacitively Coupled Plasma etcher)21-2-2 活化離子蝕刻機 (RIE-Reactive Ion Etcher)21-2-3 邊牆機制輔助非等向性蝕刻 (Anisotropic Etching Assisted by Sidewall Mechanism)21-2-4 電感耦合式電漿蝕刻機 (Inductively Coupled Plasma Etcher-ICP)21-2-5 遠端電漿蝕刻機 (Remote Plasma Etcher)21-2-6 化合物半導體乾蝕刻 (Compound Semiconductor Dry Etching)21-2-7 原子層蝕刻技術 (Atomic Layer Etching)21-2-8 聚焦離子束 (Focused Ion Beam, FIB)21-2-9 化學機械拋光 (Chemical-mechanical polishing, CMP)習題第22章 化學氣相沉積22-1 化學氣相沉積概念 (Introduction of CVD)22-2 化學氣相沉積流程 (CVD Procedures)22-3 低壓化學氣相沉積 (Low Pressure CVD - LPCVD)22-4 電漿化學氣相沉積 (Plasma CVD - PCVD)22-5 光照化學氣相沉積 (Photo-CVD)22-6 原子層沉積 (Atomic Layer Deposition)22-7 液相沉積法 (Liquid Phase Deposition)習題第23章 金屬接觸與沉積23-1 金屬化之要求 (Metallization Requirements)23-2 真空沉積 (Vacuum Deposition)23-3 沉積技術 (Deposition Techniques)23-4 真空沉積程序 (Vacuum Deposition Procedure)23-5 合金 退火 (Alloy Annealing)23-6 金屬矽化物 (Silicide)23-6-1 摻雜多晶矽 (Doped Polysilicon)23-6-2 金屬矽化物與多晶矽化物 (Silicide and Polycide)23-7 銅製程技術 (Copper Processes)習題第24章 積體電路封裝24-1 積體電路封裝 (IC Package)24-1-1 積體電路中半導體元件失效的主因 (IC Failure Analysis)24-1-2 封裝的功能 (Function of Packaging)24-1-3 積體電路封裝材料的要求 (Material Requirements)24-2 封裝分類 (Classification)24-3 封裝流程 (Packaging Flow Chart)24-3-1 背面研磨 (Back-Side Grinding)24-3-2 晶片揀選 (Chip Sorting)24-3-3 晶圓切割 ( Sawing)24-3-4 銲晶 (Die Attaching)24-3-5 銲線 (Wire Bonding)24-3-6 封膠 (Molding)24-3-7 電鍍 (Solder Plating)24-3-8 彎腳成形 (Forming)24-3-9 最後測試 (Final Testing)24-3-10 打包 (Packing)24-4 三維封裝 (3 Dimensional Package)習題第四篇 積體電路故障與檢測第25章 可靠度與功能性檢測25-1 可靠度基本概念 (Basic Idea of Reliability)25-2 可靠度檢測 (Reliability Testing)25-3 故障模型 (Failure Models)25-3-1 故障平均壽命 (Mean-time-to-failure，MTTF)25-3-2 平均故障間隔時間 (Mean-Time-Between-Failure, MTBF)25-4 電磁干擾 (EMI)25-5 靜電效應 (ESD)25-6 功能性檢測 (Function Testing)25-6-1 可檢測設計 (Design for Testability)25-6-2 內建式自我檢測 (Built-in Self-Test, BIST)25-6-3 可修護 (Repairable)習題第26章 材料特性檢測26-1 表面形態分析儀器 (Surface Morphology Analysis Instruments)26-1-1 光學顯微鏡 (Optical Microscope-OM)26-1-2 掃描式電子顯微鏡 (Scanning Electron Microscopy- SEM)26-1-3 原子力顯微鏡 (Atomic Force Microscopy-AFM)26-2 晶體結構分析儀器 (Crystal Structure Analysis Instruments)26-2-1 X光繞射光譜 (X-ray Diffraction Spectrum)26-2-2 穿透式電子顯微鏡 (Tunneling Electron Microscopy-TEM)26-3 組成分析儀器 (Composition Analysis Instruments) 26-3-1 二次離子質譜儀 (Secondary Ion Mass Spectrometer-SIMS)26-3-2 傅立葉轉換紅外光頻譜儀 (Fourier Transform Infrared spectroscopy: FTIR)26-3-3 歐傑電子光譜儀 (Auger Electron Spectroscopy-AES)26-3-4 X射線光電子能譜儀 (X-Ray Photoelectron Spectroscopy-XPS)或化學分析電子光譜 (Electron Spectrometry for Chemical Analysis-ESCA)26-3-5 拉曼光譜儀 (Raman Spectroscopy)26-3-6 光激光譜儀 (Photoluminescence Spectroscopy-PL)習題第五篇 製程潔淨控制與安全第27章 製程潔淨控制與安全(一)27-1 潔淨程序 (Cleaning Procedures)27-2 水 (Water)27-3 空氣 無塵室 (Air Clean Room)27-4 人員 (Personnel)27-5 化學藥品 (Chemicals)27-6 氣體 (Gases)習題第28章 製程潔淨控制與安全(二)28-1 高壓氣瓶 (High Pressure Cylinder)28-1-1 高壓氣瓶之使用 (Usage of High Pressure Cylinder)28-1-2 高壓氣瓶的貯存 (Storage of High Pressure Cylinder)28-2 壓力調節器 (Pressure Regulator)28-3 吹淨 (Blow Up)28-4 洩漏偵測 (Leak Check)28-5 設備上應注意事項 (Equipment Check)28-6 廢氣之排放 (Exhaust)28-6-1 氣體排放 (Gases Exhaust)28-6-2 排放氣體的除害處理 (Toxic Gases Treatment)28-7 緊急時應注意事項 (Emergency)28-7-1 洩漏氣體時的緊急處置 (Emergency Treatment of Gases Leak)28-7-2 發生火警時的緊急處置 (Emergency Treatment of Fire Alarm)28-7-3 中毒時的緊急處置 (Emergency Treatment of Poisoning)28-7-4 預防 (Precaution)習題

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最佳賣點

最佳賣點 : 1.深入淺出說明半導體元件物理和積體電路結構、原理及製程。
2.從矽導體之物理概念開始，一直到半導體結構、能帶作完整的解說，使讀者學習到全盤知識。
3.圖片清晰，使讀者一目瞭然更容易理解。
4.適用於大學、科大電子、電機系「半導體製程」或「半導體製程技術」課程或相關業界人士及有興趣之讀者。