半導體製程技術導論 (第三版) | 誠品線上

半導體製程技術導論 (第三版)

內容簡介

內容簡介 本書優點特色：1.本書延續上一版，極完整的章節架構，並更新了各相關新技術。2.本書的內容集中在最新的積體電路製程技術同時也兼顧較舊的技術以便讀者對積體電路製程技術的歷史發展有更完整的瞭解。3.本書提供半導體製程相關加工技術之介紹與各種加工原理之說明與應用，使學生熟悉各種加工原理及其應用領域，以作為投入電子工業之基礎訓練課程。內容簡介：本書譯自Hong Xiao(蕭宏) 原著「Introduction to Semiconductor Manufacturing Technology」(第二版)，提供最新的半導體製程相關加工技術之介紹與各種加工原理之說明與應用，是半導體製程實務最為鉅細靡遺的著作。本書適用於公私立大學、科大、技術學院，電子、電機、資工、機械系『半導體工程』、『半導體製程』、『半導體導論』課程使用。

作者介紹

作者介紹 ■作者簡介 蕭 宏

產品目錄

產品目錄 第一章 導論 1.1 積體電路發展歷史 1.2 積體電路發展回顧 1.3 本章總結習題 參考文獻 第二章 積體電路製程介紹2.1 積體電路製程簡介 2.2 積體電路的良率 2.3 無塵室技術 2.4 積體電路製程區間基本結構 2.5 積體電路測試與封裝 2.6 積體電路未來發展趨勢2.7 本章總結 習題 參考文獻 第三章 半導體基礎3.1 半導體基本概念 3.2 半導體基本元件 3.3 積體電路晶片 3.4 積體電路基本製程3.5 互補式金屬氧化物電晶體 3.6 2000後半導體製程發展趨勢3.7 本章總結習題 參考文獻第四章 晶圓製造 4.1 簡介 4.2 為什麼使用矽材料 4.3 晶體結構與缺陷4.4 晶圓生產技術 4.5 磊晶矽生長技術 4.6 基板工程 4.7 本章總結 習題 參考文獻 第五章 加熱製程 5.1 簡介 5.2 加熱製程的硬體設備5.3 氧化製程 5.4 擴散製程 5.5 退火過程 5.6 高溫化學氣相沉積5.7 快速加熱製程(RTP)系統 5.8 加熱製程發展趨勢 5.9 本章總結 習題 參考文獻 第六章 微影製程 6.1 簡介 6.2 光阻6.3 微影製程6.4 微影技術的發展趨勢6.5 安全性6.6 本章總結習題參考文獻 第七章 電漿製程7.1 簡介7.2 電漿基本概念7.3 電漿中的碰撞 7.4 電漿參數 7.5 離子轟擊 7.6 直流偏壓 7.7 電漿製程優點7-8 電漿增強化學氣相沉積及電漿蝕刻反應器 7.10 高密度電漿製程 7.11 本章總結 習題 參考文獻 第八章 離子佈植製程 8.1 簡介 8.2 離子佈植技術簡介 8.3 離子佈植技術硬體設備8.4 離子佈植製程過程 8.5 安全性 8.6 離子佈植技術發展趨勢 8.7 本章總結習題參考文獻第九章 蝕刻製程 9.1 蝕刻製程簡介 9.2 蝕刻製程基礎9.3 濕式蝕刻製程 9.4 電漿(乾式)蝕刻製程 9.5 電漿蝕刻製程 9.6 蝕刻製程發展趨勢9.7 蝕刻製程未來發展趨勢9.8 本章總結習題 參考文獻第十章 化學氣相沉積與介電質薄膜 10.1 簡介 10.2 化學氣相沉積 10.3 介電質薄膜的應用 10.4 介電質薄膜特性 10.5 介電質CVD製程 10.6 塗佈旋塗矽玻璃 10.7 高密度電漿CVD (HDP-CVD) 10.8 介電質CVD反應室清潔10.9 製程發展趨勢與故障排除 10.10 化學氣相沉積製程發展趨勢 10.11 本章總結 習題參考文獻 第十一章 金屬化製程 11.1 簡介 11.2 導電薄膜11.3 金屬薄膜特性 11.4 金屬化學氣相沉積 11.5 物理氣相沉積 11.6 銅金屬化製程11.7 安全性 11.8 本章總結 習題 參考文獻 第十二章 化學機械研磨製程 12.1 簡介 12.2 CMP硬體設備 12.3 CMP研磨漿 12.4 CMP基本理論 12.5 CMP製程過程 12.6 CMP製程發展趨勢 12.7 本章總結習題 參考文獻第十三章 半導體製程整合 13.1 簡介13.2 晶圓準備13.3 隔離技術 13.4 井區形成 13.5 電晶體製造 13.6 金屬高k閘極MOS 13.7 互連技術 13.8 鈍化 13.9 總結 習題 參考文獻第十四章 IC製程技術14.1 簡介 14.2 上世紀80年代CMOS製程流程 14.3 上世紀90年代CMOS製程流程 14.4 2000年代CMOS製程流程14.5 2010年代CMOS製程流程 14.6 記憶體晶片製造製程 14.7 本章總結 第十五章 半導體製程發展趨勢和總結習題 參考文獻

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