薄膜科技與應用 (第4版) | 誠品線上

薄膜科技與應用 (第4版)

內容簡介

內容簡介 薄膜技術的進展和表面界面物理導入，使電子元件實現了輕薄短小，且有效控制半導體材料和固態元件之品質。坊間有多種薄膜技術叢書，但多僅闡述製作技術。本書將引導對薄膜有興趣者認識真空、電漿、長膜機制，製作高品質薄膜的要件，薄膜品質之鑑定和薄膜製作技術如何改善電子元件功能等。本書前四章介紹薄膜沉積所用到的真空、電漿、熱力、動力等薄膜生長機制；第五、六章介紹高品質薄膜對元件電性之影響；第七、八章說明量測薄膜特性之技術與原理。是一本適合大學、科大機械、電機、化工、材料系三、四年級「薄膜技術」、「薄膜工程」課程使用，也適合從事微電子技術之產業界的專業人員使用。

作者介紹

作者介紹 ■作者簡介羅吉宗現任：大同大學光電工程研究所

產品目錄

產品目錄 第1章 真空技術與氣體傳輸安全1-1 氣 壓1-2 氣體動力學1-3 真空系統1-3.1 氣導(conductance)1-3.2 抽氣速率1-4 真空泵浦1-4.1 迴轉式機械泵浦(rotary mechanical pump)與乾式泵浦(dry pump)1-4.2 擴散泵浦(diffusion pump)1-4.3 渦輪式分子泵浦(turbo molecular pump)1-4.4 低溫泵浦(cryogenic pump)1-5 真空氣壓計(vacuum pressure gauge)1-5.1 Pirani真空計1-5.2 熱電偶真空計(thermocouple gauge)1-5.3 Baratron電容式真空計1-5.4 離子式真空計1-5.5 Penning冷陰極真空計1-5.6 剩餘氣體分析儀(residual gas analyzer)1-6 漏氣測定1-7 氣體傳輸系統1-7.1 閥門(valve)1-7.2 真空導引(feed through)1-7.3 管件的連接1-8 危險氣體的處理1-9 流量的量測與控制習題參考資料第2章 電漿物理2-1 電漿中的氣相碰撞2-2 各種電漿粒子與表面之作用2-2.1 濺 射2-2.2 二次電子2-2.3 在基板表面沉積薄膜或蝕刻2-3 直流輝光放電(D.C glow discharge)2-3.1 直流輝光放電特性2-3.2 陰極暗區2-3.3 電漿輝光放電區2-3.4 陽極暗區2-4 射頻輝光放電(radio frequency glow discharge)2-4.1 RF電漿的直流自我偏壓2-4.2 RF系統的電壓分布2-4.3 調頻器(matching box or tunner)2-5 磁控管(magnetron)輝光放電2-5.1 帶電粒子在磁場方向螺旋前進2-5.2 帶電粒子受電力和磁力作用2-6 高密度電漿(high density plasma)習題參考資料第3章 表面動力學與薄膜生長機制3-1 物理吸附(physisorption)3-2 化學吸附(chemisorption)3-3 吸附原子在基板表面產生表面張力3-4 結合能與表面張力3-5 吸附量與溫度、氣壓之關係3-6 摻質原子在晶體中的擴散3-7 表面擴散與薄膜間的互擴散3-8 孕核(nucleation)3-9 原子團的生長與聚合3-10 薄膜的結構與缺陷習題參考資料第4章 薄膜製作技術4-1 熱氧化(thermal exidation)4-2 物理汽相沉積(PVD)4-2.1 蒸鍍(evaporation)4-2.2 脈衝雷射沉積(PLD)4-2.3 濺射沈積或乾蝕刻(Sputtering Deposition or Dry Etching)4-2.4 離子束沉積與蝕刻(Ion beam deposition or Ion mill)4-3 化學汽相沉積(CVD)4-3.1 反應腔中氣體傳送原理4-3.2 CVD動力學4-3.3 CVD反應系統4-4 導電薄膜和介電薄膜製作4-5 磊晶技術(epitaxial technology)4-5.1 鹵化物系VPE同質磊晶4-5.2 Ⅲ一Ⅴ族半導體異質磊晶4-6 微影製版術(lithography technology)4-6.1 光阻材料4-6.2 紫外線曝光技術4-6.3 圖案對準技術4-7 蝕刻技術(Etching technology)4-7.1 濕式蝕刻4-7.2 乾蝕刻習題參考資料第5章 磊晶生長與光學薄膜5-1 同質磊晶生長模式5-2 異質磊晶的能隙與晶格常數5-3 晶格失配的結構5-4 異質磊晶層中的應變能5-5 異質磊晶的差排能5-6 超晶格應變層與插入差排5-7 電磁波在固態界面的傳輸5-8 光在薄膜界面的反射與穿透5-9 多層抗反射薄膜5-10 超晶格高反射薄膜習題參考資料第6章 表面、界面與元件電性6-1 表面能態6-2 金屬與半導體界面6-3 歐姆接觸6-4 金屬-氧化層-半導體(MOS)界面6-5 異質結構的應用元件6-5.1 發光二極體(Light Emitting Diode LED)6-5.2 半導體雷射二極體(Laser Diode LD)6-5.3 異質雙載子接面電晶體 (Heterojunction Bipolor Transistor HBT)6-5.4 高電子遷移率電晶體(pseudomorphic High Electron Mobility Transistor pHEMT)習題參考資料第7章 散射與薄膜結構或成分分析7-1 X-射線繞射與三維倒晶個格7-2 電漿振盪子(plasmons)與電磁耦合量子(polaritons)7-2.1 離子晶體的聲子7-2.2 電漿振盪子7-3 二維結晶學7-3.1 基板晶格表面7-3.2 表面結構的Wood符號與疊層覆蓋率7-3.3 薄膜與基板的繞射圖案關係7-4 電子繞射(LEED & RHEED)7-5 拉塞福(Rutherford)反向散射光譜儀(RBS)7-6 二次離子質譜儀 (SIMS)習題參考資料第8章 薄膜特性檢測技術與原理8-1 光學特性分析技術8-1.1 光學顯微鏡8-1.2 橢圓儀(ellipsometer)8-1.3 紅外光譜儀(FTIR)8-1.4 拉曼(Raman)光譜分析8-1.5 激發光光譜分析8-1.6 感應耦合電漿原子發射光譜(ICPOES)8-2 電子束分析技術8-2.1 掃描式電子顯微鏡 (SEM)8-2.2 穿透式電子顯微鏡 (TEM)8-2.3 歐傑電子光譜儀 (AES)8-3 掃描探針顯微技術(Scanning Probe Microscopy)8-3.1 掃描式穿隧顯微鏡 (STM)8-3.2 原子力顯微鏡(AFM)8-3.3 近場光學顯微鏡8-4 X-射線分析技術8-4.1 X射線特性8-4.2 X光繞射儀8-4.3 光電子光譜儀 (photoemission spectroscopy)8-4.4 X射線螢光分析8-5 薄膜應力量測8-6 金屬薄膜的片電阻8-7 絕緣薄膜的介電強度與崩潰電荷密度習題參考資料附 錄附錄A 部分習題解答附錄B 元素週期表附錄C 室溫下一些半導體之物性附錄D Si、Ge、GaAs和SiO的性質(300°K)附錄E 用於電子材料的某些元素的物理性質附錄F 物理常數及其換算

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