半導體製程設備技術 (第2版) | 誠品線上

半導體製程設備技術 (第2版)

內容簡介

內容簡介 半導體(Semiconductor)是介於導體(Conductor)與絕緣體(Insulator)之間的材料。我們可以輕易的藉由摻質(Dopant)的摻雜(Doping)去提高導電度(Conductivity)。其中二六族及三五族是為化合物半導體(Compound Semiconductor)材料，大部分是應用於光電領域，如發光二極體(Light Emitting Diode, LED)、太陽能電池(Solar cell)等。而目前的積體電路(Integrated Circuit, IC)領域，主要還是以第四族的矽(Si)為主的元素半導體，也就是目前的矽晶圓(Silicon Wafer)基底材料(Substrate) 。 在未來的日子，我們可預見晶圓廠裡將有可能全面改為自動化的運作，到那時將不再需要大量的操作人員。而主要的人力將會是工程師(含)以上的職務，所以希望能以此書與各位以及想轉職的朋友們提供一個分享，讓大家都能對於常見的機台設備及其製程技術，有一個全觀的認識，以提升職場的競爭力。

作者介紹

作者介紹 ■作者簡介楊子明交通大學半導體材料與製程設備學程工學碩士鍾昌貴台北科技大學機電整合所碩士沈志彥中正大學化工所工學碩士李美儀 交通大學材料所工學博士吳鴻佑 交通大學半導體材料與製程設備學程工學碩士詹家瑋交通大學半導體材料與製程設備學程工學碩士吳耀銓 美國史丹福大學材料科學工程與電機博士交通大學材料科學與工程研究所教授

產品目錄

產品目錄 序致謝第○章 設備維修需具備的知識技能以及半導體導論篇0.1 設備維修該有的認知及態度0.2 設備安全標示的認識0.2.1 設備安全標示的認識0.2.2 個人防護裝備的認識0.3 設備機電系統的定義及分類 類比控制系統 數位控制系統0.4 設備控制系統0.5 常見電路圖圖示認識0.6 半導體導論參考文獻第一章 擴散設備（Diffusion）篇1.1 爐管（Furnace）1.1.1 爐管設備系統架構1.1.2 爐管製程介紹1.1.3 製程程序步驟（Recipe）介紹1.1.4 經驗分享1.2 離子植入（Ion Implant）1.2.1 離子植入製程基礎原理1.2.2 離子植入機設備系統簡介1.2.3 離子植入製程在積體電路製程的簡介1.2.4 離子植入製程後的監控與量測1.2.5 離子植入機操作注意事項1.2.6 離子植入製程問題討論與分析參考文獻第二章 濕式蝕刻與清潔設備（Wet Bench）篇2.1 濕式清洗與蝕刻的目的及方法2.1.1 濕式清洗的目的2.1.2 濕式蝕刻的目的2.1.3 污染物對半導體元件電性的影響2.2 晶圓表面清潔與蝕刻技術2.2.1 晶圓表面有機汙染（Organic Contamination）洗淨2.2.2 晶圓表面原生氧化層的移除2.2.3 晶圓表面洗淨清潔技術2.2.4 晶圓表面濕式蝕刻技術2.3 化學品供應系統2.3.1 化學品分類2.3.2 化學品供應系統2.4 Wet Bench結構與循環系統2.4.1 濕式蝕刻及清潔設備（Wet Bench）結構2.4.2 濕式蝕刻及清洗設備（Wet Bench）傳動系統2.4.3 循環系統與乾燥系統參考文獻 133第三章 薄膜設備（Thin Films）篇3.1 電漿（Plasma）3.1.1 電漿產生的原理3.1.2 射頻電漿電源（RF Generator）的功率量測儀器3.2 化學氣相沉積設備系統（Chemical Vapor Deposition, CVD）3.2.0 簡介3.2.1 電漿輔助化學氣相沉積（PECVD）3.2.2 新穎化學氣相沉積系統與磊晶系統（ALD、MBE、MOCVD）3.3 物理氣相沉積設備系統（Physical Vapor Deposition, PVD）3.3.1 熱蒸鍍3.3.2 電子束蒸鍍3.3.3 濺鍍參考文獻第四章 乾式蝕刻設備（Dry Etcher）篇4.0 前言4.0.1 乾式蝕刻機（Dry Etcher）4.0.2 蝕刻腔體設計概念（Design Factors）4.1 各種乾式蝕刻腔體設備介紹4.1.1 反應式離子蝕刻機（Reactive Ion Etcher, RIE）4.1.2 三極式電容偶合蝕刻系統（Triode RIE）4.1.3 磁場增進式平行板電極（Magnetically Enhance RIE, MERIE）4.1.4 高密度電漿蝕刻腔體（High Density Plasma Reactors）4.1.5 多極式磁場侷限式電漿（Magnetic Multipole Confinement, MMC）4.1.6 電感應偶合電漿（Inductive Couple Plasma, ICP）4.1.7 電子迴旋共振式電漿（Electron Cyclotron Resonance, ECR）4.1.8 螺旋微波電漿源（Helicon Wave Plasma Source, HWP）4.2 晶圓固定與控溫設備4.3 終點偵測裝置（End Point Detectors）4.4 乾式蝕刻製程（Dry Etching Processes）4.4.1 乾式蝕刻與濕式蝕刻的比較4.4.2 乾式蝕刻機制4.4.3 活性離子蝕刻的微觀現象4.4.4 各式製程蝕刻說明4.5 總結參考文獻第五章 黃光微影設備（Photolithography）篇5.1 前言5.2 光阻塗佈及顯影系統（Track system : Coater Developer）5.2.1 光阻塗佈系統（Coater）5.2.2 顯影系統（Developer）5.3 曝光系統（Exposure System）5.3.1 光學微影（Optical Lithography）5.3.2 電子束微影（E-beam Lithography）5.4 現在與未來5.4.1 浸潤式微影（Immersion Lithography）5.4.2 極紫外光微影（Extreme Ultraviolet Lithography）5.4.3 多電子束微影（Multi-Beam Lithography）5.5 工作安全提醒參考文獻第六章 研磨設備（Polishing）篇6.1 前言6.2 化學機械研磨系統（Chemical Mechanical Polishing, CMP）6.2.1 研磨頭6.2.2 研磨平臺6.2.3 研磨漿料控制系統6.2.4 清洗／其他6.3 研磨漿料（Slurry）6.4 化學機械研磨製程中常見的現象6.5 化學機械研磨常用的化學品參考文獻第七章 IC製造概述篇7.1 互補式金氧半電晶體製造流程（CMOS Process Flow） 前段製程（FEOL） 後段製程（BEOL）7.2 CMOS閘極氧化層陷阱電荷介紹 四種基本及重要的電荷 高頻的電容對電壓特性曲線（C-V curve）參考文獻第八章 控制元件檢測及維修篇8.1 簡介8.2 維修工具的使用8.2.1 一般性維修工具組8.2.2 三用電表的使用8.2.3 示波器（Oscilloscope）的使用8.2.4 數位邏輯筆的使用8.3 設備機台常見的控制元件與儀表控制器8.3.1 電源供應器（Power Supply）8.3.2 溫度控制器（Temperature Controller）8.3.3 伺服與步進馬達（Servo and Stepping Motor）8.3.4 質流控制器（Mass Flow Controller, MFC）8.3.5 電磁閥（Solenoid Valve）8.3.6 感測器（Sensor）8.3.7 可程式邏輯控制器（PLC）參考文獻索引

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